Антава

ONSEMI

Транзистор NVMYS020N08LHTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
30 A
Pulsed drain current
142 A
Power dissipation
21 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMYS020N08LHTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current30 A
Pulsed drain current142 A
Power dissipation21 W
КорпусLFPAK56
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance19.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 30A; Idm: 142A; 21W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.