ONSEMI
Транзистор NVMYS014N06CLTWG
Фото уточняется
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 36 A
- Pulsed drain current
- 185 A
- Power dissipation
- 12 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | NVMYS014N06CLTWG |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 36 A |
| Pulsed drain current | 185 A |
| Power dissipation | 12 W |
| Корпус | LFPAK56 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 15 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 9.7nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 185A; 12W; LFPAK56
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.