ONSEMI

Транзистор NVMYS012N10MCLTWG

LFPAK56Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 52 A
Pulsed drain current: 283 A
Power dissipation: 36 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVMYS012N10MCLTWG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	52 A
Pulsed drain current	283 A
Power dissipation	36 W
Корпус	LFPAK56
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	12.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	19nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 52A; Idm: 283A; 36W; LFPAK56

Документация

Документы пока не предоставлены.