ONSEMI

Транзистор NVMTS1D6N10MCTXG

DFNW8Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100 V
Drain current: 273 A
Pulsed drain current: 900 A
Power dissipation: 146 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVMTS1D6N10MCTXG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	100 V
Drain current	273 A
Pulsed drain current	900 A
Power dissipation	146 W
Корпус	DFNW8
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	1.7 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	106nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 273A; Idm: 900A; 146W; DFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.