Антава

ONSEMI

Транзистор NVMTS1D2N08H

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
337 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
150 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMTS1D2N08H
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current337 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation150 W
КорпусDFNW8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge147nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 337A; Idm: 900A; 150W; DFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.