Антава

ONSEMI

Транзистор NVMTS0D6N04CTXG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
533A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
122.7W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMTS0D6N04CTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current533A
Pulsed drain current900A
Power dissipation122.7W
КорпусDFNW8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance480µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge187nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 533A; Idm: 900A; 122.7W; DFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.