Антава

ONSEMI

Транзистор NVMTS0D6N04CLTXG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
554.5 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
122.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMTS0D6N04CLTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current554.5 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность122.7 W
КорпусDFNW8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance420µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge126nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 554.5A; Idm: 900A; 122.7W

Документация

Документы пока не предоставлены.