Антава

ONSEMI

Транзистор NVMTS001N06CLTXG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
398.2 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
122 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMTS001N06CLTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current398.2 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation122 W
КорпусDFNW8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance810µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge165nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 398.2A; Idm: 900A; 122W; DFNW8

Документация

Документы пока не предоставлены.