Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJST3D3N04CTXG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
157 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
75 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMJST3D3N04CTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current157 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность75 W
КорпусTCPAK10
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge23nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 157A; Idm: 900A; 75W; TCPAK10

Документация

Документы пока не предоставлены.