ONSEMI

Транзистор NVMJST2D6N08HTXG

TCPAK10Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 131.5 A
Pulsed drain current: 900 A
Power dissipation: 58 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVMJST2D6N08HTXG
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	131.5 A
Pulsed drain current	900 A
Power dissipation	58 W
Корпус	TCPAK10
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.8 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	68nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10

Документация

Документы пока не предоставлены.