Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJST1D4N06CLTXG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
198 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
58 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMJST1D4N06CLTXG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current198 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность58 W
КорпусTCPAK10
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.49 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge92.2nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10

Документация

Документы пока не предоставлены.