Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJS1D5N04CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
200 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMJS1D5N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current200 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность53 W
КорпусLFPAK8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge70nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 200A; Idm: 900A; 53W; LFPAK8

Документация

Документы пока не предоставлены.