Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJS1D2N04CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
237 A
Pulsed drain current
1480 A
Power dissipation
64 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMJS1D2N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current237 A
Pulsed drain current1480 A
Power dissipation64 W
КорпусLFPAK8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge93nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 237A; Idm: 1480A; 64W; LFPAK8

Документация

Документы пока не предоставлены.