Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJS1D0N04CTWG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
300 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
83 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMJS1D0N04CTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current300 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation83 W
КорпусLFPAK8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance920µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge86nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 300A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8

Документация

Документы пока не предоставлены.