Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJS0D9N04CLTWG

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
330A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
83W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMJS0D9N04CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current330A
Pulsed drain current900A
Power dissipation83W
КорпусLFPAK8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance820µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge143nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8

Документация

Документы пока не предоставлены.