Антава

ONSEMI

Транзистор NVMJD012N06CLTWG

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
42 A
Pulsed drain current
153 A
Рассеиваемая мощность
21 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMJD012N06CLTWG
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current42 A
Pulsed drain current153 A
Рассеиваемая мощность21 W
КорпусLFPAK8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge11.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; Idm: 153A; 21W; LFPAK8

Документация

Документы пока не предоставлены.