Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFWS3D0P04M8LT1G

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-183A
Pulsed drain current
-900A
Power dissipation
86W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFWS3D0P04M8LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-183A
Pulsed drain current-900A
Power dissipation86W
КорпусDFNW5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance2.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge124nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -183A; Idm: -900A; 86W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.