ONSEMI

Транзистор NVMFWS2D3P04M8LT1G

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40 V
Drain current: -222 A
Pulsed drain current: -900 A
Power dissipation: 103 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NVMFWS2D3P04M8LT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-40 V
Drain current	-222 A
Pulsed drain current	-900 A
Power dissipation	103 W
Корпус	DFNW5
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	157nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -222A; Idm: -900A; 103W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.