ONSEMI

Транзистор NVMFWS2D1N08XT1G

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 181 A
Pulsed drain current: 761 A
Power dissipation: 148 W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NVMFWS2D1N08XT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	181 A
Pulsed drain current	761 A
Power dissipation	148 W
Корпус	DFNW5
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	2.1 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	53nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 181A; Idm: 761A; 148W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.