Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFWS1D9N08XT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
201A
Pulsed drain current
866A
Power dissipation
164W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFWS1D9N08XT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current201A
Pulsed drain current866A
Power dissipation164W
КорпусDFNW5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.9mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge63nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 201A; Idm: 866A; 164W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.