Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFWS0D7N04XMT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
323 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
134 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFWS0D7N04XMT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current323 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation134 W
КорпусDFNW5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge71.6nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 323A; Idm: 900A; 134W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.