Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFWS016N10MCLT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
46 A
Pulsed drain current
243 A
Power dissipation
32 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFWS016N10MCLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current46 A
Pulsed drain current243 A
Power dissipation32 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance14 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge19nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 243A; 32W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.