Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFWS014P04M8LT1G

Фото уточняется
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40V
Drain current
-52.1A
Pulsed drain current
-268A
Power dissipation
30W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFWS014P04M8LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40V
Drain current-52.1A
Pulsed drain current-268A
Power dissipation30W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance13.8mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.