ONSEMI

Транзистор NVMFWS003P03P8ZT1G

Фото уточняется

Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -234A
Pulsed drain current: -900A
Power dissipation: 84.4W

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	NVMFWS003P03P8ZT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	P-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	-30V
Drain current	-234A
Pulsed drain current	-900A
Power dissipation	84.4W
Gate-source voltage	±25V
On-state resistance	1.8mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	167nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -234A; Idm: -900A; 84.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.