Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFWD030N06CT1G

NVMFWD030N06CT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
19 A
Pulsed drain current
63 A
Рассеиваемая мощность
11 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFWD030N06CT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current19 A
Pulsed drain current63 A
Рассеиваемая мощность11 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance29.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge4.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 19A; Idm: 63A; 11W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.