ONSEMI

Транзистор NVMFSW6D1N08HT1G

DFNW5Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 89 A
Pulsed drain current: 468 A
Рассеиваемая мощность: 104 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVMFSW6D1N08HT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	89 A
Pulsed drain current	468 A
Рассеиваемая мощность	104 W
Корпус	DFNW5
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	5.5 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	32nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 89A; Idm: 468A; 104W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.