Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFSC0D9N04C

NVMFSC0D9N04C
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
310 A
Pulsed drain current
900 A
Рассеиваемая мощность
166 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFSC0D9N04C
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current310 A
Pulsed drain current900 A
Рассеиваемая мощность166 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance870µΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge86nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 310A; Idm: 900A; 166W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.