ONSEMI

Транзистор NVMFS6H852NWFT1G

DFNW5Изображение корпуса

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80 V
Drain current: 40 A
Pulsed drain current: 200 A
Рассеиваемая мощность: 27 W

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	NVMFS6H852NWFT1G
Производитель	ONSEMI
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	80 V
Drain current	40 A
Pulsed drain current	200 A
Рассеиваемая мощность	27 W
Корпус	DFNW5
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	14.2 mΩ
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	13nC
Kind of package	reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 200A; 27W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.