Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS6H852NT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80V
Drain current
40A
Pulsed drain current
200A
Power dissipation
27W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFS6H852NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80V
Drain current40A
Pulsed drain current200A
Power dissipation27W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance14.2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 200A; 27W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.