Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS6H824NLT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
110 A
Pulsed drain current
722 A
Power dissipation
58 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS6H824NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current110 A
Pulsed drain current722 A
Power dissipation58 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge52nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 110A; Idm: 722A; 58W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.