Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS6H818NLT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
135 A
Pulsed drain current
772 A
Power dissipation
140 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS6H818NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current135 A
Pulsed drain current772 A
Power dissipation140 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge64nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 135A; Idm: 772A; 140W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.