Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS6H800NT1G

NVMFS6H800NT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
20 A
Power dissipation
100 W
Корпус
SO8
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS6H800NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current20 A
Power dissipation100 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.1 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 20A; 100W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.