Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS6H800NLT1G

NVMFS6H800NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
224 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
107 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 261 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%836,13 ₽

Сумма · с НДС 22%836,13 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1836,13 ₽
от 10745,58 ₽
от 50683,93 ₽
от 100656,96 ₽
от 200633,84 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNVMFS6H800NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current224 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation107 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.9 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge112nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 224A; Idm: 900A; 107W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.