Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS5H663NLT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
67 A
Pulsed drain current
359 A
Рассеиваемая мощность
31.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS5H663NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current67 A
Pulsed drain current359 A
Рассеиваемая мощность31.3 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge17nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 67A; Idm: 359A; 31.3W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.