Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS5C638NLT1G

NVMFS5C638NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
133 A
Pulsed drain current
811 A
Рассеиваемая мощность
50 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 1 485 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%614,35 ₽

Сумма · с НДС 22%614,35 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1614,35 ₽
от 10350,29 ₽
от 50298,19 ₽
от 100276,64 ₽
от 500260,47 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяNVMFS5C638NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current133 A
Pulsed drain current811 A
Рассеиваемая мощность50 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge40.7nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 133A; Idm: 811A; 50W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.