Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS5C604NLAFT1G

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
287A
Pulsed drain current
900A
Power dissipation
100W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFS5C604NLAFT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current287A
Pulsed drain current900A
Power dissipation100W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20V
On-state resistance1.2mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.12µC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 287A; Idm: 900A; 100W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.