Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS5C430NWFAFT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
185 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS5C430NWFAFT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current185 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation53 W
КорпусDFNW5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge47nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 185A; Idm: 900A; 53W; DFNW5

Документация

Документы пока не предоставлены.