Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS5C430NLAFT1G

NVMFS5C430NLAFT1G
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
140 A
Pulsed drain current
900 A
Power dissipation
53 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS5C430NLAFT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current140 A
Pulsed drain current900 A
Power dissipation53 W
КорпусDFN5x6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge32nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; Idm: 900A; 53W; DFN5x6

Документация

Документ производителя