Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS5A160PLZT1G

NVMFS5A160PLZT1G
Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-60 V
Drain current
100 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
DFN5x6
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS5A160PLZT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-60 V
Drain current100 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусDFN5x6
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 100A; 200W; DFN5x6

Документация

Документы пока не предоставлены.