Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS3D0P04M8LT1G

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-183 A
Pulsed drain current
-900 A
Рассеиваемая мощность
86 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS3D0P04M8LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-183 A
Pulsed drain current-900 A
Рассеиваемая мощность86 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge124nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -183A; Idm: -900A; 86W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.