Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS040N10MCLT1G

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
100 V
Drain current
21 A
Pulsed drain current
94 A
Power dissipation
18 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS040N10MCLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage100 V
Drain current21 A
Pulsed drain current94 A
Power dissipation18 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance38 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; Idm: 94A; 18W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.