Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFS014P04M8LT1G

Type of transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
-40 V
Drain current
-52.1 A
Pulsed drain current
-268 A
Power dissipation
30 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFS014P04M8LT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorP-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage-40 V
Drain current-52.1 A
Pulsed drain current-268 A
Power dissipation30 W
КорпусDFN5
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13.8 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge26.5nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -52.1A; Idm: -268A; 30W; DFN5

Документация

Документы пока не предоставлены.