Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD6H852NLT1G

NVMFD6H852NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
80 V
Drain current
25 A
Pulsed drain current
98 A
Power dissipation
19 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFD6H852NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage80 V
Drain current25 A
Pulsed drain current98 A
Power dissipation19 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance25.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 25A; Idm: 98A; 19W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.