Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD5C650NLWFT1G

NVMFD5C650NLWFT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
111 A
Pulsed drain current
502 A
Power dissipation
62 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFD5C650NLWFT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current111 A
Pulsed drain current502 A
Power dissipation62 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.2 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 111A; Idm: 502A; 62W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.