Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD5C478NT1G

NVMFD5C478NT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
27A
Pulsed drain current
90A
Power dissipation
12W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFD5C478NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current27A
Pulsed drain current90A
Power dissipation12W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance17mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge6.3nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 27A; Idm: 90A; 12W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.