Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD5C470NWFT1G

NVMFD5C470NWFT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
36A
Pulsed drain current
108A
Power dissipation
14W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFD5C470NWFT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current36A
Pulsed drain current108A
Power dissipation14W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance11.7mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.