Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD5C470NT1G

NVMFD5C470NT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
108 A
Power dissipation
14 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяNVMFD5C470NT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current36 A
Pulsed drain current108 A
Power dissipation14 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.7 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 108A; 14W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.