Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD5C470NLT1G

NVMFD5C470NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
36 A
Pulsed drain current
110 A
Рассеиваемая мощность
14 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFD5C470NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current36 A
Pulsed drain current110 A
Рассеиваемая мощность14 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance11.5 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge9nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 36A; Idm: 110A; 14W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.