ONSEMI
Транзистор NVMFD5C466NT1G
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 40 V
- Drain current
- 49 A
- Pulsed drain current
- 169 A
- Power dissipation
- 19 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | NVMFD5C466NT1G |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 40 V |
| Drain current | 49 A |
| Pulsed drain current | 169 A |
| Power dissipation | 19 W |
| Корпус | DFN8 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 8.1 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 11nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 49A; Idm: 169A; 19W; DFN8
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.