Антава

ONSEMI

Транзистор NVMFD5C466NLT1G

NVMFD5C466NLT1G
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
52 A
Pulsed drain current
198 A
Power dissipation
19 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяNVMFD5C466NLT1G
ПроизводительONSEMI
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current52 A
Pulsed drain current198 A
Power dissipation19 W
КорпусDFN8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7.4 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of packagereel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 52A; Idm: 198A; 19W; DFN8

Документация

Документы пока не предоставлены.